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PSMN2R8-80BS,118  与  IPB035N08N3 G  区别

型号 PSMN2R8-80BS,118 IPB035N08N3 G
唯样编号 A-PSMN2R8-80BS,118 A-IPB035N08N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8mΩ
上升时间 - 79ns
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 306W 214W
Qg-栅极电荷 - 117nC
输出电容 847pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 75S
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 9961pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
下降时间 - 14ns
典型接通延迟时间 - 23ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥15.4899
400+ :  ¥13.127
800+ :  ¥12.0431
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¥15.4899 

阶梯数 价格
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